<optgroup id="gnncz"></optgroup>

        <thead id="gnncz"></thead>
    1. <var id="gnncz"><output id="gnncz"><form id="gnncz"></form></output></var>

      <acronym id="gnncz"></acronym>

      1. <optgroup id="gnncz"><sup id="gnncz"></sup></optgroup>
        篩選結果:
        清空篩選
        型號
        供應商/商品信息
        庫存/批次
        階梯
        大陸交貨(含稅)
        香港交貨
        交期(工作日)
        起訂/遞增
        數量
        操作
        chip1stop
        FET 類型:N 通道;技術:MOSFET(金屬氧化物);漏源電壓(Vdss):30V;25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):16.5A(Tc);驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V;不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):9 毫歐 @ 10A,10V;不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA;不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1525pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):2.5W(Ta),4.45W(Tc);工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;供應商器件封裝:8-SO;封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);
        QTY:
        批次/階梯價
        大陸8-12
        香港7-10
         
        起訂量:
        遞增量:
         
        mouser
        FET 類型:N 通道;技術:MOSFET(金屬氧化物);漏源電壓(Vdss):200V;25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):16A(Tc);驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):-;不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):73 毫歐 @ 8A,0V;不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):-;不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):208nC @ 5V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5500pF @ 25V;FET 功能:耗盡模式;功率耗散(最大值):695W(Tc);工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:通孔;供應商器件封裝:TO-247(IXTH);封裝/外殼:TO-247-3;
        QTY:
        10+:
        ¥134.5124
        $16.3065
        1+:
        ¥146.3785
        $17.745
        批次/階梯價
        大陸6-9
        香港5-7
         
        起訂量:
        遞增量:
         
        arrow
        FET 類型:N 通道;技術:MOSFET(金屬氧化物);漏源電壓(Vdss):30V;25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):12A(Tc);驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V;不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):18 毫歐 @ 9A,10V;不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA;不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):17nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):570pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):3.5W(Ta),19W(Tc);工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;供應商器件封裝:PowerPAK? SC-70-6 單;封裝/外殼:PowerPAK? SC-70-6;
        QTY:
        批次/階梯價
        大陸5-9
        香港4-7
         
        起訂量:
        遞增量:
         
        digikey
        FET 類型:N 通道;技術:MOSFET(金屬氧化物);漏源電壓(Vdss):30V;25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):16A(Ta),45A(Tc);驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V;不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):5.5 毫歐 @ 20A,10V;不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA;不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):42nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2000pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):900mW(Ta);工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;供應商器件封裝:PowerDI3333-8;封裝/外殼:8-PowerVDFN;
        QTY:
        1000+:
        ¥2.7752
        $0.3364
        500+:
        ¥3.2608
        $0.3953
        100+:
        ¥3.9024
        $0.473
        10+:
        ¥5.6347
        $0.6831
        1+:
        ¥6.5404
        $0.7929
        批次/階梯價
        大陸6-9
        香港5-7
         
        起訂量:
        遞增量:
        - +
        合計:¥0.0000
        加入購物車
        立即購買
        digikey
        FET 類型:N 通道;技術:MOSFET(金屬氧化物);漏源電壓(Vdss):100V;25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):10A(Ta),42A(Tc);驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V;不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):13.5 毫歐 @ 20A,10V;不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA;不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):33.3nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1871pF @ 50V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):2W(Ta),35W(Tc);工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;供應商器件封裝:PowerDI3333-8;封裝/外殼:8-PowerVDFN;
        QTY:
        1000+:
        ¥3.8682
        $0.469
        500+:
        ¥4.7484
        $0.5757
        100+:
        ¥5.6021
        $0.6791
        10+:
        ¥7.2028
        $0.8732
        1+:
        ¥8.8044
        $1.0673
        批次/階梯價
        大陸6-9
        香港5-7
         
        起訂量:
        遞增量:
        - +
        合計:¥0.0000
        加入購物車
        立即購買
        tme
        FET 類型:N 通道;技術:MOSFET(金屬氧化物);漏源電壓(Vdss):150V;25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):11.5A(Ta),152A(Tc);驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V;不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):6.2 毫歐 @ 20A,10V;不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA;不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):136nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):6460pF @ 75V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):2.1W(Ta),375W(Tc);工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;供應商器件封裝:TO-263(D2Pak);封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;
        QTY:
        500+:
        ¥16.2266
        $1.9505
        100+:
        ¥17.2041
        $2.068
        25+:
        ¥19.1591
        $2.303
        5+:
        ¥21.6029
        $2.5968
        1+:
        ¥24.0466
        $2.8905
        批次/階梯價
        大陸5-9
        香港4-7
         
        起訂量:
        遞增量:
        - +
        合計:¥0.0000
        加入購物車
        立即購買
        mouser
        FET 類型:N 通道;技術:MOSFET(金屬氧化物);漏源電壓(Vdss):30V;25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):1A(Ta);驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V;不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):254 毫歐 @ 900mA, 4.5V;不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA;不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):1.65nC @ 4.5V;Vgs(最大值):±12V;不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):81pF @ 15V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):342mW(Ta);工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;供應商器件封裝:SOT-323;封裝/外殼:SC-70,SOT-323;
        QTY:
        99000+:
        ¥0.3292
        $0.0399
        24000+:
        ¥0.3638
        $0.0441
        9000+:
        ¥0.3812
        $0.0462
        3000+:
        ¥0.4503
        $0.0546
        1000+:
        ¥0.5716
        $0.0693
        100+:
        ¥0.8229
        $0.0998
        10+:
        ¥1.9835
        $0.2405
        1+:
        ¥2.8583
        $0.3465
        批次/階梯價
        大陸6-9
        香港5-7
         
        起訂量:
        遞增量:
        - +
        合計:¥0.0000
        加入購物車
        立即購買
        chip1stop
        FET 類型:N 通道;技術:MOSFET(金屬氧化物);漏源電壓(Vdss):40V;25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):195A(Tc);驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V;不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):1.4 毫歐 @ 100A,10V;不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 150μA;不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):225nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):7437pF @ 25V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):231W(Tc);工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;供應商器件封裝:D2PAK(7-Lead);封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA;
        QTY:
        1600+:
        ¥8.959
        $1.0861
        800+:
        ¥9.1234
        $1.106
        批次/階梯價
        大陸8-12
        香港7-10
         
        起訂量:
        遞增量:
        - +
        合計:¥0.0000
        加入購物車
        立即購買
        rochester
        FET 類型:N 通道;技術:MOSFET(金屬氧化物);漏源電壓(Vdss):40V;25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):75A(Tc);驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V;不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):7.4 毫歐 @ 20A,10V;不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA;不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V;Vgs(最大值):±20V;不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1730pF @ 25V;FET 功能:-;功率耗散(最大值):96W(Tc);工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ);安裝類型:通孔;供應商器件封裝:I2PAK;封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA;
        QTY:
        批次:{"17+":5933,"19+":4000}
        5000+:
        ¥2.6471
        $0.3241
        1000+:
        ¥2.6497
        $0.3244
        500+:
        ¥2.6523
        $0.3247
        批次/階梯價
        大陸6-11
        香港5-9
         
        起訂量:
        遞增量:
        - +
        合計:¥0.0000
        加入購物車
        立即購買
        chip1stop
        FET 類型:N 通道;技術:MOSFET(金屬氧化物);漏源電壓(Vdss):600V;25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):6.2A(Ta);驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V;不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):820 毫歐 @ 3.1A,10V;不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 310μA;不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V;Vgs(最大值):±30V;不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):390pF @ 300V;FET 功能:超級結;功率耗散(最大值):60W(Tc);工作溫度:150°C(TJ);安裝類型:通孔;供應商器件封裝:I-PAK;封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak;
        QTY:
        10+:
        ¥6.633
        $0.8041
        1+:
        ¥10.4385
        $1.2654
        批次/階梯價
        大陸8-12
        香港7-10
         
        起訂量:
        遞增量:
         
        10000條記錄 / 第1
        微信

        微信咨詢

        微信二維碼
        記錄
        歷史記錄
        av 电影天堂 中文字幕_日韩亚洲欧美精品综合_亚洲大片免费毛片国产在线_国产操逼不卡视频

          <optgroup id="gnncz"></optgroup>

            <thead id="gnncz"></thead>
        1. <var id="gnncz"><output id="gnncz"><form id="gnncz"></form></output></var>

          <acronym id="gnncz"></acronym>

          1. <optgroup id="gnncz"><sup id="gnncz"></sup></optgroup>