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        IGBT 類型:PT;配置:半橋;電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):32A;功率 - 最大值:130W;不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A;電流 - 集電極截止(最大值):125μA;輸入:標準;NTC 熱敏電阻:無;工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;封裝/外殼:9-SMD 模塊;供應商器件封裝:ISOPLUS-SMPD?.B;
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        IGBT 類型:NPT;配置:半橋;電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):30A;功率 - 最大值:100W;不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,20A;電流 - 集電極截止(最大值):600μA;不同?Vce 時輸入電容 (Cies):1.1nF @ 25V;輸入:標準;NTC 熱敏電阻:無;工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:通孔;封裝/外殼:i4-Pac?-5;供應商器件封裝:ISOPLUS i4-PAC?;
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        IGBT 類型:PT;配置:半橋;電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):63A;功率 - 最大值:230W;不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,35A;電流 - 集電極截止(最大值):150μA;輸入:標準;NTC 熱敏電阻:無;工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;封裝/外殼:9-SMD 模塊;供應商器件封裝:ISOPLUS-SMPD?.B;
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        IGBT 類型:NPT;配置:半橋;電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):18A;功率 - 最大值:140W;不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):6V @ 15V,16A;電流 - 集電極截止(最大值):100μA;不同?Vce 時輸入電容 (Cies):2.4nF @ 25V;輸入:標準;NTC 熱敏電阻:無;工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:通孔;封裝/外殼:i4-Pac?-5;供應商器件封裝:ISOPLUS i4-PAC?;
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        IGBT 類型:NPT;配置:半橋;電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):40A;功率 - 最大值:125W;不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,25A;電流 - 集電極截止(最大值):600μA;不同?Vce 時輸入電容 (Cies):1.6nF @ 25V;輸入:標準;NTC 熱敏電阻:無;工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:通孔;封裝/外殼:i4-Pac?-5;供應商器件封裝:ISOPLUS i4-PAC?;
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