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        數量
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        chip1stop
        晶體管類型:PNP;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):5A;電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V;不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):1V @ 100mA,4A;電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO);不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):160 @ 500mA,2V;功率 - 最大值:1W;頻率 - 躍遷:170MHz;工作溫度:150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;供應商器件封裝:PW-MOLD;
        QTY:
        250+:
        ¥19.9729
        $2.4213
        50+:
        ¥22.3566
        $2.7102
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        mouser
        晶體管類型:PNP;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):1A;電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V;不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):250mV @ 100mA,1A;電流 - 集電極截止(最大值):10nA;不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V;功率 - 最大值:500mW;頻率 - 躍遷:210MHz;工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;封裝/外殼:SC-70,SOT-323;供應商器件封裝:SOT-323;
        QTY:
        45000+:
        ¥0.9701
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        9000+:
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        100+:
        ¥1.9488
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        10+:
        ¥2.4772
        $0.3003
        1+:
        ¥3.4646
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        rochester
        晶體管類型:NPN;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):500mA;電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V;不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):620mV @ 50mA,500mA;電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO);不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V;功率 - 最大值:300mW;頻率 - 躍遷:-;工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236);
        QTY:
        批次:{"04+":63000,"06+":10000}
        5000+:
        ¥0.157
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        rochester
        晶體管類型:NPN;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):8A;電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V;不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):2V @ 1.6A,8A;電流 - 集電極截止(最大值):10μA;不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):15 @ 4A,2V;功率 - 最大值:125W;頻率 - 躍遷:4MHz;工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:通孔;封裝/外殼:TO-247-3;供應商器件封裝:TO-247;
        QTY:
        批次:{"MI+":188,"07+":101,"08+":31,"04+":350}
        批次/階梯價
        大陸6-11
        香港5-9
         
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        遞增量:
         
        chip1stop
        晶體管類型:NPN;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):150mA;電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V;不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 10mA,100mA;電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO);不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):200 @ 1mA,6V;功率 - 最大值:200mW;頻率 - 躍遷:300MHz;工作溫度:150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;封裝/外殼:SC-70,SOT-323;供應商器件封裝:SC-70(SOT323);
        QTY:
        批次/階梯價
        大陸8-12
        香港7-10
         
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        chip1stop
        晶體管類型:NPN;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):1A;電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V;不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):350mV @ 25mA,500mA;電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO);不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V;功率 - 最大值:200mW;頻率 - 躍遷:400MHz;工作溫度:150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;供應商器件封裝:SST3;
        QTY:
        500+:
        ¥0.5178
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        ¥0.591
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        ¥0.6962
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        大陸8-12
        香港7-10
         
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        rochester
        晶體管類型:PNP;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):4A;電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V;不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):800mV @ 300mA,3A;電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO);不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):40 @ 500mA,1V;功率 - 最大值:36W;頻率 - 躍遷:3MHz;工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:通孔;封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3;供應商器件封裝:TO-225AA;
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        5000+:
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        digikey
        晶體管類型:NPN;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200mA;電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V;不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):200mV @ 5mA,50mA;電流 - 集電極截止(最大值):-;不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V;功率 - 最大值:250mW;頻率 - 躍遷:300MHz;工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;封裝/外殼:SC-101,SOT-883;供應商器件封裝:SOT-883;
        QTY:
        56000+:
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        24000+:
        ¥0.9236
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        8000+:
        ¥1.0764
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        晶體管類型:PNP;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):3A;電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V;不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):900mV @ 150mA,3A;電流 - 集電極截止(最大值):20μA(ICBO);不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):60 @ 1A,4V;功率 - 最大值:15W;頻率 - 躍遷:-;工作溫度:150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;供應商器件封裝:DPAK;
        QTY:
        1+:
        ¥19.2005
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        rochester
        晶體管類型:PNP;電流 - 集電極 (Ic)(最大值):5A;電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V;不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):170mV @ 400mA,4A;電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO);不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):250 @ 1A,2V;功率 - 最大值:830mW;頻率 - 躍遷:100MHz;工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ);安裝類型:表面貼裝型;封裝/外殼:8-SMD,扁平引線;供應商器件封裝:ChipFET?;
        QTY:
        批次:{"07+":355368}
        5000+:
        ¥1.2246
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        1000+:
        ¥1.2258
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